• MCT四級TE冷卻光電導探測器

    1-16μm 中紅外光浸沒式MCT四級TE冷卻光電導探測器 PCI-4TE系列截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器性能降低。

    更新時間:2024-12-04
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  • 三級TE冷卻光電導探測器

    1-15μm中紅外光浸沒式MCT三級TE冷卻光電導探測器 PCI-3TE系列應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應。

    更新時間:2024-12-04
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  • 2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光伏探測器

    2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光伏探測器 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

    更新時間:2024-12-04
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  • 2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測器 PVI系列

    2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測器 PVI系列 PVI系列是基于復雜的MCT異質結構的非制冷紅外光電探測器,采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數,使其具有優秀的性能和穩定性。

    更新時間:2025-07-10
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  • 1-15μm MCT中紅外光電導探測器

    1-15μm MCT中紅外光電導探測器, 三級熱電冷卻 PC-3TE系列是基于復雜的MCT異質結構的三級熱電冷卻紅外光電導探測器,具有好的性能和穩定性。器件在λopt時達到最佳性能。

    更新時間:2024-12-04
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