硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

190～ 1100nm放大型可調增益硅光電探測器 我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調增益 ，定量光電轉換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無縫兼容；性能優(yōu)秀 ，高性價比 ，quan方位技術支持； 提供非標定制服務。

190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器 筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實現(xiàn)定量光電轉換，動態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場景，性能優(yōu)秀，性價比高，提供quan方位技術支持，常應用于紫外與可見光測量。

400-1100nm 硅Si光電探測器 帶放大 固定增益(DC-140MHz) 硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測器，用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應面輸入，輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4“-20螺紋的安裝孔，可以方便的安裝固定。 外殼部分

Si雪崩單元探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC Si雪崩單元探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償；隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響；APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點